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반도체

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TSMC는 EUV에 123억 달러 이상을 투자하여 2nm 생산을 발전 TSMC의 고급 2나노미터 공정 용량은 2025년에 대량 생산을 시작할 예정이며, 장비 제조업체는 적극적으로 기계를 공급하고 있다. 커머셜 타임즈의 보고서에 따르면, 고급 공정에 중요한 EUV(극자외선 리소그래피) 기계는 올해와 내년에 60대 이상이 납품될 것이며, 총 투자액은 4천억 TWD(약 123억 달러)를 초과할 것이다.생산 능력이 계속 확장됨에 따라, 2025년 ASML의 납품량은 30% 이상 증가하여 대만 공급망에 도움이 될 것으로 예상된다. 그 중 Gudeng Precision은 차세대 High-NA EUV 개발을 위해 ASML과 적극적으로 협력하고 있으며, Marketech International 및 YEEDEX와 같은 다른 대만 팹 툴 제조업체도 혜택을 받을 것으로 예상됩니다.출처를 인..
인텔과 AMD의 하이브리드 본딩 패키지 기술 ■ 반도체 패키징 기술은 2차원(2D)에서 3차원(3D)으로  반도체 패키지의 밀도 향상과 성능 향상이 한층 더 진행되고 있다. 과거, 고성능 컴퓨팅용 대규모 프로세서는 CPU 회로와 입출력 회로를 복수의 미니 다이(칩렛)로 분할하여 미세 배선 회로의 인터포저(중간 기판)에 탑재함으로써, 실장 밀도, 동작 주파수 등 신호 전송 대역의 향상을 실현해 왔다.AMD가 ECTC 2024에서 발표한 논문에서 (논문 번호 19.6)당초, 미니다이는 중간 기판 위에 나란히 탑재하고 있었다. 기존의 패키지 기판과 다른 것은, 인터포저에서는 미니다이의 간격을 크게 채울 수 있다는 것이다. 동시에 미니다이의 입출력 패드 간격도 채울 수 있다. 모두 인터포저에서는 기존의 패키지 기판에 비해 미세한 배선을 형성할 수 있는 것..
마이크론 GDDR7 메모리 발표, 게임 성능 30% 향상 마이크론은 NVIDIA 및 AMD의 차세대 GPU를 위한 32Gbps 다이 속도 및 PAM3 시그널링을 제공하는 GDDR7 메모리 솔루션을 발표했습니다.GPU를 위한 마이크론의 차세대 GDDR7 메모리 솔루션은 모든 해상도에서 게임 성능을 30% 향상시킵니다. 마이크론 테크놀로지는 오늘 업계에서 가장 높은 비트 밀도를 가진 차세대 GDDR7 그래픽 메모리의 샘플링을 발표했다. 1β(1-베타) DRAM 기술과 혁신적인 아키텍처를 활용하는 Micron GDDR7은 전력에 최적화된 디자인으로 32Gb/s 고성능 메모리를 제공합니다. GDDR6보다 최대 60% 높은 1.5TB/s 이상의 시스템 대역폭과 워크로드를 최적화하기 위한 4개의 독립 채널을 갖춘 GDDR7 메모리는 더 빠른 응답 시간, 원활한 게임 플레..
반도체 미세화 패터닝도 ai가 담당. 패터닝은 미세화될 수록 간섭이 일어나기 때문에 사람이 못하고 라이브러리 갖다 써야 하고 그것보다 더 미세한 패턴은 ai가 합니다.이게 non linear 영역인데 사람이 계산해야 하는 수준을 넘어가죠.    ML 방식도 옛날 것이고, 요즘은 AI로 전부 보정한다고 마이크론에서 얘기한 게 2021년도 얘기입니다.
인텔 파운드리 ■ IDM 1.0에서 IDM 2.0으로의 전략적 이행의 배경인텔은 IDM 2.0이라고 불리는 매우 야심찬 변혁에 착수하기 위해 먼저 제조 능력을 재구축했다. 이어서 프로세스 기술과 제품 설계로 리더십을 다시 확립하고, 최종적으로 월드 클래스의 파운드리가 되는 것을 목표로 하고 있다. 이것을 실현하기 위해 파운더리 서비스 부문을 시작했다.인텔은 지난 4년 동안 5노드의 실용화에 착수했다. 최신 노드가 되는 '인텔 18A'는 2024년 말까지 제조 준비가 된다고 한다. 인텔 18A로 설계된 최초의 제품은 현재 제조 중이며, 이미 인텔 이외에 5개사의 고객이 양산 1개 앞까지의 공정에 접어들고 있다고 한다.또한 인텔은 차세대 '인텔 14A' 이후의 개발도 순조롭게 진행되고 있다. 가속기로 AI 기능을 강화한 ..
인텔의 도약 및 경쟁회사 칩 TEM 단면도 인텔의 나노시트 트랜지스터인 RibbonFET은 오늘날의 FinFET 기술을 대체할 것이다. FinFET 트랜지스터는 트랜지스터의 게이트를 채널 영역 주위에 하나만이 아닌 세 면으로 감아 CPU에 낮은 전력 요구 사항과 더 큰 논리 회로 밀도를 제공했다. 하지만 FinFET의 크기가 축소됨에 따라, 이 장치들은 게이트의 전류 제어 능력의 한계에 접근했다.  인텔은 회사의 최신 반도체 제조 공정 기술인 인텔 20A 처리 노드에 도입될 때 RibbonFET의 에너지 효율이 최대 15% 향상될 것으로 예상한다. 20A의 "A"는 옹스트롬을 의미한다. 일반적으로 백사이드 파워라고 불리고 인텔이 파워비아라고 부르는 새로운 전력 전달 계획의 도입은 더 극적인 변화이다. "로버트 노이스가 첫 번째 집적 회로를 만든 ..
구글 G5, tsmc에서 생산 결정 삼성파운드리에서 tsmc로 결정된 것 같습니다. 픽셀폰은 한국에서 정발되지 않았죠. 정식 수입이 되지 않았으니 일반인들이 들여와서 쓰기가 매우 번거롭습니다.  + 한국어 지원이 안됨.한국에서 교통카드 지원이 안됨.  하지만 연 천만대 수준의 생산이었고,만약 tsmc로 가면 삼파 매출은 꽤 많이 줄거라고 보여집니다. 픽셀폰 뭐 듣보잡이야? 이럴 수 있는데.듣보잡 아닙니다.. 하이엔드 스마트폰 시장의 4%를 픽셀폰으로 구글이 먹고 있습니다. (3위. 16%는 삼성, 77%는 애플)  -- 삼파는 더 큰 몰락이 이어질 수 있습니다.
마이크론 HBM3E TrendForce는 세 개의 가장 큰 DRAM 공급 업체가 고급 프로세스를 위한 웨이퍼 입력을 늘리고 있다고 보고한다. 메모리 계약 가격이 상승한 후, 기업들은 올해 하반기에 용량 확장을 중심으로 자본 투자를 늘렸다. 1alpha 이상의 프로세스에 대한 웨이퍼 입력은 연말까지 총 DRAM 웨이퍼 입력의 약 40%를 차지할 것으로 예상된다. HBM 생산은 수익성과 수요 증가로 인해 우선시될 것이다. 그러나, 약 50-60%의 제한된 수율과 DRAM 제품보다 60% 더 큰 웨이퍼 면적은 웨이퍼 입력의 더 높은 비율이 필요하다는 것을 의미한다. 각 회사의 TSV 용량을 기준으로, HBM은 올해 말까지 고급 프로세스 웨이퍼 입력의 35%를 차지할 것으로 예상되며, 나머지 웨이퍼 용량은 LPDDR5(X) 및 D..

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